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在交互体验方面，动机动无电网当贝PadGO的表现也让人颇为惊喜。最后，巢出如图3e,h所示，二维α-In2Se3器件具有约24.1V的超大磁滞窗和高达53.0cm2V-1s-1的高迁移率，具有很高的电流开/关比率（约2×105）。
最后，人机作者成功地制备了β′-α异相结，其显示出更宽的门控滞后窗口，并大大改善了非易失性存储器（NVM）特性。湖北作者在图2e采用DFT计算来研究β′和α相在应变下的能量演变。
当所有的原子都完全松弛时，荆州除了低硒空位浓度的状态（0-3%），β和β′相之间的能量差异随着硒空位的增加而单调地增加。可移空巡这种突然和不可逆的相变以及α-In2Se3薄膜中明显的皱纹揭示了薄膜分层和界面应变释放是这种相变的主要原因（图2i）。
